臥式砂磨機研磨介質的使用量及原則 。研磨介質的用量同墨料的黏度,研磨墨料的溫度有關,因此確定研磨介質用量必須思考這些因素。通常的原則是墨料的黏度大時,研磨介質用量應該少點,黏度小時則研磨介質用量能夠稍多一點。 顯然,研磨介質用量與墨料黏度的選擇是要經過實驗或實驗性生産來求得的,但作為實驗的起點常常能夠把研磨介質的體積用量定在筒體容積的50%上。對于立式納米砂磨機,研磨介質用量能夠大到使介質堆在筒體內的表面達到剛好低于上一層葉輪稍低一點的地方,這樣能夠使研磨介質有一上升的空間。但這必須同時.....
臥式砂磨機研磨介質的使用量及原則 。研磨介質的用量同墨料的黏度,研磨墨料的溫度有關,因此確定研磨介質用量必須思考這些因素。通常的原則是墨料的黏度大時,研磨介質用量應該少點,黏度小時則研磨介質用量能夠稍多一點。 顯然,研磨介質用量與墨料黏度的選擇是要經過實驗或實驗性生産來求得的,但作為實驗的起點常常能夠把研磨介質的體積用量定在筒體容積的50%上。對于立式納米砂磨機,研磨介質用量能夠大到使介質堆在筒體內的表面達到剛好低于上一層葉輪稍低一點的地方,這樣能夠使研磨介質有一上升的空間。但這必須同時思考墨料泵送的速度,由于墨料送入筒體的速度快,介質翻動會高一點,這樣介質以上的空間要留出多一點,亦即研磨介質用量要適當少一點。 對于臥式砂磨機,研磨介質用量能夠從簡體容積的80%開始,然後根據物料的出料溫度或者冷卻水的溫度來增減研磨。
濕式攪拌磨的研磨介質直徑對粉碎粒徑影響的研究。近,隨著超微領域新材料的開發,超微粉碎受到特別的關注,特別是在濕式攪拌磨中對研磨介質直徑進行研究顯得尤為重要。它對分析研磨介質粉碎應力的分布情況、改善粉碎速度以及獲取超細粒徑産品有著十分重要的意義。1超微粉碎速度與研磨介質直徑的預測模型濕式超微粉體的粉碎速度可以用單位時間內比表面的增加來測定,其與研磨介質直徑和密度、研磨介質填充率、轉速和固體濃度有關。粉碎速度v可用下式表示ll--3vocDO,exp[一0.896(D/d)‘,,78],(l)式中:D為研磨介質的直徑;d為原料粒徑。濕式超微粉體在濕式超微粉碎機中受到研磨介質的沖擊作用,由于小的研磨介質與原料間有更多接觸,會帶來更大的沖擊,因此用粉碎指數函數來表示。粉碎速度v與研磨介質接觸點總數、研磨介質沖擊頻率、研磨介質接觸點碎料粒子體。
一種新開發的間隙式攪拌磨——小研磨介質更有效-。馮平倉;;納米超細粉體的機械法制備及設備介紹[A];顆粒學前沿問題研討會——暨第九屆全國顆粒制備與處理研討會論文集[C];2009年 李清華;張仁升;;超細攪拌磨的發展及在納米分散中的應用[A];顆粒學前沿問題研討會——暨第九屆全國顆粒制備與處理研討會論文集[C];2009年 鮑軍;馮楚德;黃野明;李承恩;;砂磨機研磨介質磨損規律的研究[A];第四屆全國顆粒制備與處理學術會議論文集[C];1995年 何順林;;高碳化鉻研磨介質在水泥聯合粉磨中的應用[A];2010國內外水泥粉磨新技術交流大會暨展覽會論文集[C];2010年 吳紹軍;蓋國勝;孫恒虎;;我國超細粉碎技術的發展狀況[A];2003年全國粉體設備—技術—産品信息交流會論文集[C];2003年 吳瀾爾;祁利民;劉雅琴;錢克農;;碳化矽。
砂磨機研磨介質該如何衡量填充量-砂磨機-塗料原料行業。砂磨機研磨介質該如何衡量填充量 2013年08月09日12:00 來源:慧聰塗料原料網T|T慧聰塗料原料網訊:一.砂磨機的介質及其裝填量:砂磨機可用玻璃球,氧化鋯球,鋼球作研磨介質,每一種介質采用均一的粒徑裝入筒體前介質應事先進行清洗,篩選。 研磨時采用某種介質著要根據被研磨物料的分散性細度和粘度來進行選擇。原則是:物料越硬應隨之選用較硬介質;産品要求越細,介質粒徑越細且裝填量應相應增加;被研磨物料粒徑較粗,選用介質粒徑應較粗。 臥式砂磨機研磨介質的裝填量是筒體容積的85%左右,具體應裝多少,需根據介質的粒徑,物料對溫度的敏感性,以及物料品種等因素確定。二.關于砂磨機介質裝量的注意點:生産中若溫度過高,應減少裝填量,以控制研磨溫度在理。
攪拌磨中研磨介質大小對氧化鋅超細研磨的影響-。石濤,馮其明,張國旺,歐樂明,陳遠道,陳志友;攪拌磨制備隱晶質石墨超細粉體的研究[J];化工礦物與加工;2004年04期 楊鳳霞;劉其麗;畢磊;;納米氧化鋅的應用綜述[A];中國納米級無機粉體材料發展·節能·環保高峰論壇論文集[C];2007年 宋振國;印萬忠;韓躍新;;機械法制備超細矽粉的研究[A];第十一屆全國粉體工程學術會暨相關設備、産品交流會論文集[C];2005年 劉雪峰;塗銘旌;;納米材料制備中磨介的配比研究[A];2002年材料科學與工程新進展(上)——2002年中國材料研討會論文集[C];2002年 段波,趙興中,李星國,張同俊,肖建中,胡鎮華,崔昆;超微粉制備技術的現狀與展望[J];材料工程;1994年06期 陳志權;棟;張宏俊;戴益群;;氧化法制備ZnO薄膜中缺陷結構的。